| 型号：TC164-JR-073RL | 类别：网络、阵列 | 制造商：Yageo |
| 封装：1206（3216 公制），凹陷 | 描述：RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206 | |
详细参数
| 类别 | 网络、阵列 |
|---|---|
| 描述 | RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206 |
| 系列 | TC164 |
| 制造商 | Yageo |
| 电路类型 | 隔离 |
| 电阻（Ω） | 3 |
| 电阻器数 | 4 |
| 引脚数 | 8 |
| 每元件功率 | 62.5mW |
| 容差 | ±5% |
| 温度系数 | ±200ppm/°C |
| 应用 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 1206（3216 公制），凹陷 |
| 供应商器件封装 | 4 x 0603 |
| 大小/尺寸 | 0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm） |
| 高度 | 0.024"（0.60mm） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
TC164-JR-073RL相关型号
- MT9D131C12STCD ES
评估板 - 传感器
Aptina LLC
48-CLCC
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- TC164-JR-07390RL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 390 OHM 4 RES 1206
- T95V106K6R3LZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1410
- T97H337K020EAA
钽
Vishay Sprague
3226（8066 公制）
CAP TANT 330UF 20V 10% 3226
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E104MARTR2
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- MT9HTF12872AZ-80EH1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB30NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- T95V106M6R3ESSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- T97R106K075LSA
钽
Vishay Sprague
2824（7260 公制）
CAP TANT 10UF 75V 10% 2824
- SR201E224MAA
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
- STB34NM60N
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- T95V106M6R3EZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- MT9HTF12872KY-40EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-MDIMM
MODULE DDR2 1GB 244-MDIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E224MAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB40N20
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
- T97R108K6R3CAB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 3024
- MT9HTF12872KY-53EA2
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Littelfuse Inc
DO-214AA，SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BIDIR 5% SMB
- SR201E473MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.047UF 100V 20% RADIAL
- STB4N62K3
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STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
- T95V106M6R3HZAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- TC164-JR-07510KL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 510K OHM 4 RES 1206
- T97R156K050CBB
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- MT9HTF12872PY-53EA1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-DIMM
MODULE DDR2 1GB 244-DIMM
- SMBJ8.5CA-E3/52
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Diodes Division
DO-214AA，SMB
TVS BIDIRECT 600W 8.5V 5% SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3HZSL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- STB4NK60ZT4
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
- TC164-JR-0751KL
网络、阵列
Yageo
1206（3216 公制），凹陷
RES ARRAY 51K OHM 4 RES 1206
- MT9HTF25672AZ-667C1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- T97R156K050HAS
钽
Vishay Sprague
3024（7660 公制）
CAP TANT 15UF 50V 10% 3024
- SMBJ8.5CA-TP
TVS - 二极管
Micro Commercial Co
DO-214AA，SMB
TVS 600W 8.5V BIDIR SMB
- SR201E683MARTR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.068UF 100V 20% RADIAL
- STB50N25M5
FET - 单
STMicroelectronics
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
- T95V155K035ESAL
钽
Vishay Sprague
1410（3727 公制）
CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1410
